1-1-1-1-          اثر میدان آمبایپلار ( آلایش الکتروستاتیک )

اگر از طریق یک گیت به گرافن ولتاژی القا کنیم، رسانایی گرافن به صورت خطی با افزایش اندازه­ی VG افزایش می­یابد و اثر هال علامت آن را در VG~0 تغییر می­دهد. در نتیجه­ی این رفتار می­توان گفت تراکم الکترون­(حفره)ها توسط ولتاژهای مثبت(منفی) گیت القا شده­اند[[i]]. به این پدیده اثر میدان آمبایپلار یا آلایش الکتروستاتیک هم گفته می­گردد.

در تبیین این پدیده می­توان گفت در ولتاژ مثبت گیت، تراز فرمی بالاتر از نقطه­ی دیراک قرار گرفته موجب انتقال الکترون­ها به نوار هدایت می­گردد. و در ولتاژهای منفی گیت، تراز فرمی پایین تر از نقطه­ی دیراک آمده و موجب انتقال حفره­ها به نوار ظرفیت می­گردد، شکل ‏2‑4،[77].

دور از ناحیه­ی گذر، VG~0، ضریب هال،RH، متناسب با عکس VG تغییر می­کند. در نتیجه­ی این وابستگی خطی و نیز ارتباط­ی معکوس ضریب هال و چگالی حامل­ها، می­توان به معادله­ی (‏2‑8) دست پیدا نمود.

شکل ‏2‑4- اثر میدان آمبایپلار در گرافن[[ii]]

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

 

با بهره گیری از این ویژگی می­توان بدون نیاز به بهره گیری از آلایش شیمیایی[1] و تنها با اعمال ولتاژ گیت مناسب به گرافن، تراکم حامل­ها را در آن تغییر داده و حتی با تغییر پلاریته، نوع نیمه­هادی را عوض نمود. یک نمونه­ی بهره گیری از این ویژگی در شکل ‏2‑5 آمده می باشد.

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید: