شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

1-1-        مقدمه

روش­های مرسوم شبیه­سازی ادوات نیمه­هادی، برای پوشش ادوات نانو-سایز[1] از رهیافت بالا به پایین[2] بهره گیری کرده و اثرات کوانتومی را در مدل­های ترابرد نیمه کلاسیک[3] تعبیه می­نمایند. اما برای ادوات در مقیاس مولکولی، رهیافت top-down زیر سوال می­رود[[i]].

روش­های شبیه­سازی ادوات مولکولی بایستی توصیفی از ساختار اتمی، اثرات کوانتومی و پدیده­های گوناگون[4] (مثلا تلفات حرارتی و انتشار نور) را در خود جای داده باشند؛ همچنین بایستی توانایی روبرو شدن با مرزهای غیر بسته[5]، جهت اتصال ادوات به مدارها، را داشته و از نظر محاسباتی هم به اندازه­ی کاغی کارآمد باشند که بتوان شبیه­سازی­های روتین را با آن­ها انجام داد[90].

بر همین اساس روش­های جدید شبیه­سازی مبتنی بر رهیافت از بالا به پایین[6] (یعنی از سطح اتمی به سطح قطعه و مدار) ارائه شده می باشد تا چالش­های ذکر گردیده را پاسخ دهند. روش NEGF یک رهیافت ایده­آل برای شبیه­سازی­های bottom-up محسوب می­گردد، زیرا که در آن[90]:

  • توصیف اتمی ادوات به راحتی انجام پذیر می باشد.
  • شرایط مرزی غیر بسته را با دقت مقصود نمود.
  • پدیده­های مختلف( مثلا پراکندگی­های الاستیک و غیر الاستیک، جذب وانتشار نور و …) را می­توان مدل نمود.

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید: