عنوان کامل پایان نامه : شبیه­ سازی عددی سلول خورشیدی مبتنی بر نانو نوار گرافن با بهره گیری از روش تابع گرین غیرتعادلی(NEGF)

1-1-1-1-          سلول­های خورشیدی مبتنی بر نانوسیم

اساسا فرآیند تبدیل نور به الکتریسیه در سلول­های خورشیدی را می­توان به چهار مرحله تقسیم نمود[[i]]:

  • جذب نور[1]
  • تولید[2] حامل­های بار( زوج الکترون- حفره[3])
  • جداسازی[4] حامل­های تولید شده
  • جمع­آوری[5] حامل­ها جدا شده در محل اتصالات[6]

با محاسبه­ی بازده هر یک از این مراحل و ضرب آن­ها در یکدیگر می­توان بازده تبدیل را به دست ­­آورد. ساختارهای مبتنی بر نانوسیم، به­ویژه آرایه­های عمودی از نانوسیم­ها، امتیازات قابل توجهی در افزایش بازده همه­ی این مراحل ارائه می­دهند[16].

سلول­های خورشیدی نانوسیم می­توانند به صورت تک- سیم[7] یا آرایه­ای از نانوسیم­ها[8]، که معمولا به صورت عمودی قرار گرفته و به آن­ها نانوستون[9] گفته می­گردد، مورد بهره گیری قرار بگیرند[16].

پیوندهای p/n در این سلول­ها ممکن می باشد در جهت شعاعی[10] یا محوری[11] باشد برای سلول­های با پیوند محوری، اتصالات الکترودها در نواحی n و p قرار گرفته در حالی که اتصالات ساختار شعاعی، در بالا و پایین نانوسیم قرار می­گیرد[16]، شکل ‏1‑12.

درسال 1879 میلادی، لورد رایلی[12] قاعده­ای مبنی بر کاهش تدریجی ضریب شکست موثر[13] برای جلوگیری از بازتاب نور ارائه نمود؛ وی نشان داد که ساختارهای غیرهمگن[14] اساسا با تغییر تدریجی در ضریب شکست موجب پرهیز از به وجود آمدن مرز صریح[15] میان رسانه[16] و بستر[17] می­شوند. عملکرد یک لایه نانوسیم Si غیرمتناوب غیرهمگن را می­توان شبیه این مدل، به عنوان مجموعه­ای از فیلم­های نازک با اختلاف اندک ضریب شکست مدل نمود[16]. در این مدل اندازه[18] و شکل ظاهری[19] سیم تأثیر مهمی در دست­­یابی به بهترین جذب اعمال می­کنند[16] .

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید: