1-1-        نانو نوارهای گرافن[1]

همان گونه که پیش از این گفته گردید، گرافن ذاتی دارای گاف انرژی صفر می باشد. به همین دلیل برای بهره گیری از آن در کاربردهای الکترونیکی و اپتوالکترونیکی می­بایست در آن ایجاد گاف انرژی نمود. همچنین گفته گردید که یکی از راه­های انجام این کار، بهره گیری از  محدودیت کوانتومی می باشد. مرسوم­ترین راه برای داشتن محدودیت کوامتومی، محدود کردن عرض گرافن می باشد که اگر این عرض در مقیاس نانو باشد به آن نانو نوار گرافن گفته می­گردد.

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

از نظر ظاهری، GNRها،مشابه CNTها، به دو دسته­ی شاخص آرمچر و زیگزاگ تقسیم می­شوند،شکل ‏2‑6. این دسته­بندی اگر چه بر اساس ظاهر نوار و شکل مرزهای آن انجام شده می باشد، بیانگر بسیاری از ویژگی­های آن­ها نیز خواهد بود.

نانونوارهای زیگزاگ همگی دارای گاف انرژی صفر بوده و نیمه­فلز محسوب می­شوند. به همین دلیل بیشتر در کاربردهای مغناطیسی و اسپینترونیک[2] مورد توجه­اند[[i]]. در حالی که آرمچرها همگی نیمه­هادی بوده و گاف انرژی­شان با عکس عرض نوار متناسب می باشد[89]، شکل ‏2‑7.  به همین دلیل نانونوارهای آرمچر در کاربردهای اپتوالکترونیک بسیار مورد توجه­اند.

 

 

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید: